【今日要闻】半导体行业深度洞察：存储技术革新与模拟芯片发展态势

[中(zhōng)报(bào)]华(huá)大(dà)九(jiǔ)天(tiān)(301269):2025年(nián)半(bàn)年(nián)度(dù)报(bào)告(gào)

针(zhēn)对(duì)存(cún)储(chǔ)电(diàn)路设(shè)计(jì)，该(gāi)系(xì)统(tǒng)支(zhī)持(chí)包(bāo)括(kuò)但(dàn)不(bù)限(xiàn)于(yú)静(jìng)态(tài)随(suí)机(jī)存(cún)取(qǔ)存(cún)储(chǔ)器(qì)(SRAM)、动(dòng)态(tài)随(suí)机(jī)存(cún)取(qǔ)存(cún)储(chǔ)器(qì)以(yǐ)(DRAM)及(jí)闪(shǎn)速(sù)存(cún)储(chǔ)器(qì)🏐电子官网(Flash)、磁(cí)随(suí)机(jī)存(cún)取(qǔ)存(cún)储(chǔ)器(qì)(MRAM)等(děng)多(duō)种(zhǒng)类(lèi)型(xíng)的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)设(shè)计(jì)。在(zài)设(shè)计(jì)存(cún)储(chǔ)电(diàn)路时(shí)，需(xū)综(zōng)合(hé)考(kǎo)虑(lǜ)数(shù)据(jù)的(de)读(dú)写(xiě)速(sù)度(dù)、功(gōng)耗(hào)、可(kě)靠(kào)性(xìng)及(jí)集成(chéng)度(dù)等(děng)多(duō)方(fāng)面(miàn)因(yīn)素(sù)，公(gōng)司(sī)提(tí)供(gōng)的(de)存(cún)储(chǔ)电(diàn)路全定(dìng)制(zhì)设(shè)计(jì)全流(liú)程(chéng)EDA工(gōng)具(jù)系(xì)统(tǒng)，提(tí)供(gōng)从(cóng)电(diàn)路设(shè)计(jì)、仿(fǎng)真(zhēn)验(yàn)证(zhèng)到(dào)版(bǎn)图(tú)生(shēng)成(chéng)的(de)一(yī)站(zhàn)式(shì)服(fú)务(wu)，助(zhù)力(lì)设(shè)计(jì)工(gōng)程(chéng)师(shī)优(yōu)化(huà)存(cún)储(chǔ)电(diàn)路性(xìng)能(néng)、缩(suō)短(duǎn)设(shè)计(jì)周(zhōu)期(qī)、提(tí)升(shēng)良(liáng)率(lǜ)，从(cóng)而(ér)提(tí)升(shēng)产(chǎn)品(pǐn)的(de)市(shì)场(chǎng)竞(jìng)争(zhēng)力(lì)。该(gāi)系(xì)统(tǒng)设(shè)计(jì)的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)产(chǎn)品(pǐn)，广(guǎng)泛(fàn)应(yīng)用(yòng)于(yú)。

模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)：模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)拐(guǎi)点(diǎn)已(yǐ)至(zhì)，收(shōu)并(bìng)购(gòu)有(yǒu)望(wàng)优(yōu)化(huà)格(gé)局(jú)加(jiā)速(sù)成(chéng)长(zhǎng)

模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)：模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)拐(guǎi)点(diǎn)已(yǐ)至(zhì)，收(shōu)并(bìng)购(gòu)有(yǒu)望(wàng)优(yōu)化(huà)格(gé)局(jú)加(jiā)速(sù)成(chéng)长(zhǎng)1、模(mó)拟(nǐ)行(xíng)业(yè)周(zhōu)期(qī)拐(guǎi)点(diǎn)将(jiāng)至(zhì)，市(shì)场(chǎng)空(kōng)间(jiān)稳(wěn)步(bù)增(zēng)长(zhǎng) 1.1、模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)处(chù)理(lǐ)模(mó)拟(nǐ)信(xìn)号(hào)，是(shì)集成(chéng)电(diàn)路的(de)重(zhòng)要(yào)组(zǔ)成(chéng)部(bù)分(fēn) 集成(chéng)电(diàn)路是(shì)全球(qiú)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)产(chǎn)业(yè)的(de)重(zhòng)要(yào)组(zǔ)成(chéng)，根(gēn)据(jù)世(shì)界(jiè)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)贸(mào)易(yì)统(tǒng)计(jì)协(xié)会(huì)（WSTS） 数(shù)据(jù)，2025 年(nián)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)产(chǎn)业(yè)中(zhōng)，集成(chéng)电(diàn)路市(shì)场(chǎng)规(guī)模(mó) 4284.42 亿(yì)美(měi)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ) 81.32%， 其(qí)余(yú)为(wèi)光(guāng)学(xué)光(guāng)电(diàn)子(zi)、分(fēn)立(lì)器(qì)件(jiàn)和(hé)传(chuán)感(gǎn)器(qì)。集成(chéng)电(diàn)路又(yòu)可(kě)具(jù)体(tǐ)分(fēn)为(wèi)处(chù)理(lǐ)数(shù)字(zì)信(xìn)号(hào)的(de) 逻(luó)辑(ji)芯(xīn)片(piàn)、微(wēi)处(chù)理(lǐ)器(qì)和(hé)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)，以(yǐ)及(jí)处(chù)理(lǐ)模(mó)拟(nǐ)信(xìn)号(hào)的(de)模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)。2025 年(nián)全球(qiú)。

东(dōng)海(hǎi)研(yán)究(jiū) | 电(diàn)子(zi)深(shēn)度(dù)：历(lì)周(zhōu)期(qī)模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)稳(wěn)中(zhōng)维(wéi)良(liáng)，拓(tà)新(xīn)域国(guó)内(nèi)厂(chǎng)商(shāng)辟(pì)土(tǔ)开(kāi)疆(jiāng)——半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)行(xíng)业(yè)深(shēn)度(dù)报(bào)告(gào)（九(jiǔ)）

与(yǔ)数(shù)字(zì)芯(xīn)片(piàn)主要(yào)采用(yòng)🈚电子官网CMOS工(gōng)艺(yì)不(bù)同(tóng)，模(mó)拟(nǐ)芯(xīn)片(piàn)具(jù)有(yǒu)多(duō)种(zhǒng)工(gōng)艺(yì)选(xuǎn)项(xiàng)，包(bāo)括(kuò)CMOS工(gōng)艺(yì)以(yǐ)及(jí)Bipolar、DMOS、BiCMOS、BCD等(děng)其(qí)他(tā)工(gōng)艺(yì)。CMOS工(gōng)艺(yì)使(shǐ)用(yòng)PMOS和(hé)NMOS晶(jīng)体(tǐ)管(guǎn)，依(yī)赖(lài)电(diàn)路结(jié)构(gòu)获(huò)得(de)参(cān)数(shù)匹(pǐ)配(pèi)。Bipolar工(gōng)艺(yì)使(shǐ)用(yòng)双极晶体管构成模拟电路，通过精密的掺杂制程控制获得匹配性。DMOS工艺通过双重扩散制程使源极和漏极间隔很近，提高密度，用于构建驱动电路。BiCMOS工艺在同一芯片上集成BJT和CMOS器件，组成复杂混合信号电路。BCD工艺在一片硅基底上制作双极晶体管。

模拟芯片稳中维良，国内厂商辟土开疆

与数字芯片主要采用 CMOS 工艺不同，模拟芯片具有多种工艺选项， 包括 CMOS 工艺以及 Bipolar、DMOS、BiCMOS、BCD 等其他工艺。CMOS 工艺使用 PMOS 和 NMOS 晶体管，依赖电路结构获得参数匹配。Bipolar 工艺使用双极晶体管构成模拟电路， 通过精密的掺杂制程控制获得匹配性。DMOS 工艺通过双重扩散制程使源极和漏极间隔很 近，提高密度，用于构建驱动电路。BiCMOS 工艺在同一芯片上集成 BJT 和 C🐍MOS 器件， 组成复杂混合信号。

中国存储再出世界级成果！曙光存储登顶SPC-1

“我们不仅要打造最快的存储，更要让‘高性能≠高成本’的新标准颠覆存储产业的成本结构，让中国技术成为全球数字经济的‘黑土地’。” 出品丨自主可控新鲜事 转载请注明出处 正文共4061，建议阅读时间🍉10分钟 存储，一个涉及到大量底层核心技术的信息领域，曾被喻为“数字世界的黑土地”，但中国在这片土地上长期被动追随国外领先技术。值得欣慰的是，一群中国存储产业的筑梦人，并未被固有的产业壁垒和技术壁垒所吓住，起步虽稍晚，甚至有些步履蹒跚，却脚踏实地在风雨中坚定前行，近年来更抓住难...“。